【半導体】窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成

1: すらいむ ★ 2024/04/04(木) 23:54:58.01 ID:BjMQonPP
窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成 　次世代パワー半導体などの材料として期待される窒化アルミニウム（AlN）系材料を使い半導体の基本構造である「pn接合」を作製するこ...